Artikelnummer | AON6413_101 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 32A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2142pF @ 15V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 6.2W (Ta), 48W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-DFN-EP (5x6) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |