Artikelnummer | AON6411_001 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 47A (Ta), 85A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10290pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 7.3W (Ta), 156W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 20A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) |
Paket / Fall | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |