| Artikelnummer | AON5810 |
|---|---|
| Teilstatus | Last Time Buy |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.7A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 10V |
| Leistung max | 1.6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-DFN-EP (2x5) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
AON1605 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN | Einzelheiten |
|
AON1605_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN | Einzelheiten |
|
AON1606 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN | Einzelheiten |
|
AON1606_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN | Einzelheiten |
 |
AON1610 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN | Einzelheiten |
|
AON1611 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN | Einzelheiten |
|
AON1620 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN | Einzelheiten |
|
AON1634 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN | Einzelheiten |
 |
AON2240 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN | Einzelheiten |
|
AON2260 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B | Einzelheiten |
