AOI409 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
AOI409 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
26A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
54nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
3600pF @ 30V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2.5W (Ta), 60W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
40 mOhm @ 20A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
TO-251A |
Paket / Fall |
TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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