| Artikelnummer | AO3415L_108 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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AO3400 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 | Einzelheiten |
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AO3400A_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT23 | Einzelheiten |
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