AO3409L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Artikelnummer	AO3409L
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.4W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
AO3055	AO	AO3055 AO TO-252 New Original Stocks	Einzelheiten
AO3055-TR	AO	AO3055-TR AO SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
AO3160	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V .04A SOT23	Einzelheiten
AO3162	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23	Einzelheiten
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AO3400A	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23	Einzelheiten
AO3400A/AO3400.	ORIGINAL	AO3400A/AO3400. ORIGINAL SOT23-.. New Original Stocks	Einzelheiten
AO3400A_101	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT23	Einzelheiten
AO3400_101	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23	Einzelheiten