AS6C6416-55BINTR - Alliance Memory, Inc.

Artikelnummer	AS6C6416-55BINTR
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Asynchronous
Speichergröße	64Mb (4M x 16)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	55ns
Zugriffszeit	55ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	48-LFBGA
Lieferantengerätepaket	48-TFBGA (8x10)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
AS6C6416-55BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 64M PARALLEL 48TFBGA	Einzelheiten
AS6C6416-55BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 64M PARALLEL 48TFBGA	Einzelheiten
AS6C6416-55TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP I	Einzelheiten
AS6C6416-55TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP I	Einzelheiten