AS6C1008-55BINTR - Alliance Memory, Inc.

Artikelnummer	AS6C1008-55BINTR
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Asynchronous
Speichergröße	1Mb (128K x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	55ns
Zugriffszeit	55ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.7 V ~ 5.5 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	36-TFBGA
Lieferantengerätepaket	36-TFBGA (6x8)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
AS6C1008-55BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1MBIT 55NS 36TFBGA	Einzelheiten
AS6C1008-55BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1MBIT 55NS 36TFBGA	Einzelheiten
AS6C1008-55PCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1MBIT 55NS 32DIP	Einzelheiten
AS6C1008-55PIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1MBIT 55NS 32DIP	Einzelheiten
AS6C1008-55SIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP	Einzelheiten
AS6C1008-55SINL	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP	Einzelheiten
AS6C1008-55SINLTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP	Einzelheiten
AS6C1008-55SINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP	Einzelheiten
AS6C1008-55STIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1MBIT 55NS 32STSOP	Einzelheiten
AS6C1008-55STINL	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1MBIT 55NS 32STSOP	Einzelheiten