AS4C8M16SA-6BINTR - Alliance Memory, Inc.

Artikelnummer	AS4C8M16SA-6BINTR
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM
Speichergröße	128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz	166MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	12ns
Zugriffszeit	5ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	54-TFBGA
Lieferantengerätepaket	54-TFBGA (8x8)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
AS4C8M16D1-5BCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60BGA	Einzelheiten
AS4C8M16D1-5BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60BGA	Einzelheiten
AS4C8M16D1-5BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60BGA	Einzelheiten
AS4C8M16D1-5BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60BGA	Einzelheiten
AS4C8M16D1-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP	Einzelheiten
AS4C8M16D1-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP	Einzelheiten
AS4C8M16D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP	Einzelheiten
AS4C8M16D1-5TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP	Einzelheiten
AS4C8M16D1A-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP	Einzelheiten
AS4C8M16D1A-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP	Einzelheiten