AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR - Alliance Memory, Inc.

Artikelnummer
AS4C8M16MSA-6BINTR
Hersteller
Alliance Memory, Inc.
Kurze Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
AS4C8M16MSA-6BINTR PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
56592 pcs
Referenzpreis
USD 3.23474/pcs
Unser Preis
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AS4C8M16MSA-6BINTR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer AS4C8M16MSA-6BINTR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile
Speichergröße 128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz 166MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 5ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 54-VFBGA
Lieferantengerätepaket 54-FBGA (8x8)
Gewicht -
Ursprungsland -

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