AS4C32M16D1-5BCN - Alliance Memory, Inc.

Artikelnummer	AS4C32M16D1-5BCN
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - DDR
Speichergröße	512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz	200MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	15ns
Zugriffszeit	700ps
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.3 V ~ 2.7 V
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	60-TFBGA
Lieferantengerätepaket	60-BGA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
AS4C32M16D1-5BCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Einzelheiten
AS4C32M16D1-5TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Einzelheiten
AS4C32M16D1A-5TAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	Einzelheiten
AS4C32M16D1A-5TANTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	Einzelheiten