RM25C32DS-LSNI-B detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
RM25C32DS-LSNI-B |
Teilstatus |
Active |
Speichertyp |
Non-Volatile |
Speicherformat |
EEPROM |
Technologie |
EEPROM |
Speichergröße |
32kb (32B Page Size) |
Taktfrequenz |
20MHz |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite |
100µs, 2.5ms |
Zugriffszeit |
- |
Speicherschnittstelle |
SPI |
Spannungsversorgung |
1.65 V ~ 3.6 V |
Betriebstemperatur |
-40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket |
8-SOIC |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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