| номер части | RN1911FETE85LF |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 50V |
| Резистор - основание (R1) (Ом) | 10k |
| Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) | - |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 100nA (ICBO) |
| Частота - переход | 250MHz |
| Мощность - макс. | 100mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-563, SOT-666 |
| Пакет устройств поставщика | ES6 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 | подробности |
 |
RN1910AFS | TOSHIBA | RN1910AFS TOSHIBA SOT963 New Original Stocks | подробности |
|
RN1910FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | подробности |
|
RN1910FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | подробности |
|
RN1911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 | подробности |
|
RN1911FE | TOSHIBA | RN1911FE TOSHIBA ES6 New Original Stocks | подробности |
|
RN1911FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | подробности |
