IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPB065N10N3GATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH TO263-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPB065N10N3GATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IPB065N10N3GATMA1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
22468 pcs
Справочная цена
USD 1.1891/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1 Подробное описание

номер части IPB065N10N3GATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 64nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 4910pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 80A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPB065N10N3GATMA1