BSZ058N03LSGATMA1

BSZ058N03LSGATMA1 - Infineon Technologies

номер части
BSZ058N03LSGATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSZ058N03LSGATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
492772 pcs
Справочная цена
USD 0.33413/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSZ058N03LSGATMA1

BSZ058N03LSGATMA1 Подробное описание

номер части BSZ058N03LSGATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2400pF @ 15V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TSDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSZ058N03LSGATMA1