부품 번호 | SSM6J216FE,LF |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | P-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 12V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.8A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 12.7nC @ 4.5V |
Vgs (최대) | ±8V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1040pF @ 12V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 700mW (Ta) |
작동 온도 | 150°C |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | ES6 |
패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
무게 | - |
원산지 | - |