| 品番 | SQP120N10-3M8_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 190nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7230pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 250W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SQP120N06-06_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB | 詳細 |
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SQP120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 詳細 |
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SQP120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 詳細 |
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SQP120P06-6M7L_GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET | 詳細 |
