| 品番 | IXFN200N07 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 70V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 8mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 480nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9000pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 520W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6 mOhm @ 500mA, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | 詳細 |
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