品番 | J112 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) | 35V |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | - |
電流 - ドレイン(Idss)Vds(Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
電流ドレイン(Id) - 最大 | - |
電圧 - カットオフ(VGSオフ)@ Id | 1V @ 1µA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
抵抗 - RDS(オン) | 50 Ohm |
電力 - 最大 | 625mW |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
重量 | - |
原産国 | - |