S8CM-M3/I - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	S8CM-M3/I
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V
Corrente - Rettificato medio (Io)	8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	985mV @ 8A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	4µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F	79pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-214AB (SMC)
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
S8CG-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB	Dettagli
S8CGHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB	Dettagli
S8CJ-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB	Dettagli
S8CJHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB	Dettagli
S8CK-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB	Dettagli
S8CKHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB	Dettagli
S8CM-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB	Dettagli
S8CMHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB	Dettagli