GKI07113 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
GKI07113 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
57nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
4040pF @ 25V |
Vgs (massimo) |
±20V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
3.1W (Ta), 77W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
9.1 mOhm @ 27.2A, 10V |
temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
8-DFN (5x6) |
Pacchetto / caso |
8-PowerTDFN |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER GKI07113