| Numero di parte | FDB3652_F085 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 61A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2880pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 61A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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FDB33N25 | FAIRC | FDB33N25 FAIRC TO-263.. New Original Stocks | Dettagli |
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FDB3502 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB | Dettagli |
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FDB3632 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | Dettagli |
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FDB3632-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK | Dettagli |
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FDB3632_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK | Dettagli |
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FDB3632_SB82115 | ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | Dettagli |
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FDB3652 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB | Dettagli |
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FDB3652-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | Dettagli |
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FDB3652_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | Dettagli |
