2N5639_D75Z - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	2N5639_D75Z
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)	30V
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	25mA @ 20V
Scarico corrente (Id) - max	-
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10pF @ 12V (VGS)
Resistenza - RDS (On)	60 Ohm
Potenza - Max	350mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2N5600	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Dettagli
2N5601	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Dettagli
2N5602	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Dettagli
2N5603	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package.	Dettagli
2N5604	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Dettagli
2N5605	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Dettagli
2N5606	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.	Dettagli
2N5607	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package.	Dettagli
2N5608	SEME-LAB	Bipolar NPN Device Hermetically sealed TO66 Metal Package	Dettagli
2N5609	EXSHINE	Silicon PNP Transistors	Dettagli