| Numero di parte | DMG7N65SJ3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 886pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3, IPak, Short Leads |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 | Dettagli |
|
DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | Dettagli |
|
DMG7401SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | Dettagli |
|
DMG7401SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 | Dettagli |
|
DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI | Dettagli |
|
DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | Dettagli |
|
DMG7702SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI | Dettagli |
|
DMG7702SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 | Dettagli |
|
DMG7N65SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB | Dettagli |
|
DMG7N65SCTI | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V 650V ITO-220A | Dettagli |
