| Numero di parte | SP20C-G201 U |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di pressione | Compound |
| Pressione di esercizio | ±2.84 PSI (±19.58 kPa) |
| Tipo di uscita | Wheatstone Bridge |
| Produzione | 60 mV ~ 140 mV |
| Precisione | - |
| Tensione - Fornitura | - |
| Dimensione della porta | Male - 0.12" (3mm) Tube |
| Stile della porta | Barbless |
| Caratteristiche | - |
| Stile di terminazione | PC Pin |
| Pressione massima | ±8.53 PSI (±58.81 kPa) |
| temperatura di esercizio | -20°C ~ 100°C |
| Pacchetto / caso | 6-DIP Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SP200 | Aries Electronics | PLUG SHORTING INSULATED BLACK | Dettagli |
 |
SP2003P | SPT | SP2003P SPT DIP New Original Stocks | Dettagli |
|
SP200CT | SIPRX | SP200CT SIPRX SOP-20 New Original Stocks | Dettagli |
|
SP201 | LINFINIT | SP201 LINFINIT SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
|
SP20100R | SECOS | SP20100R SECOS TO-220.. New Original Stocks | Dettagli |
|
SP20150 | SECOS | 20.0AMP Schottky Barrier Rectifiers | Dettagli |
|
SP20150R | SECOS | SP20150R SECOS TO-220.. New Original Stocks | Dettagli |
|
SP202 | POLYFET | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | Dettagli |
|
SP20200 | SECOS | 20.0 AMP Schottky Barrier Rectifiers | Dettagli |
|
SP20250 | SECOS | 20.0 AMP Schottky Barrier Rectifiers | Dettagli |
