Numero di parte | AOTF4S60 |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 263pF @ 100V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Peso | - |
Paese d'origine | - |