S2D M4G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	S2D M4G
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	2A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.15V @ 2A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	1.5µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F	30pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AA, SMB
Package de périphérique fournisseur	DO-214AA (SMB)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S2D	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 200V 2A SMB	Détails
S2D M4G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	Détails
S2D R5G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	Détails
S2D-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 200V 1.5A SMB	Détails
S2D-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 200V 1.5A SMB	Détails
S2D-E3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA	Détails
S2D-E3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA	Détails
S2D-LTP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 200V DO214AA	Détails
S2D-M3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1.5A 200V DO-214AA	Détails
S2D-M3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1.5A 200V DO-214AA	Détails