2SK3707-1E

2SK3707-1E - ON Semiconductor

Numéro d'article
2SK3707-1E
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 100V 20A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
2SK3707-1E Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3519 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour 2SK3707-1E

2SK3707-1E Description détaillée

Numéro d'article 2SK3707-1E
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 20V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220F-3SG
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR 2SK3707-1E