MRF581G

MRF581G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
MRF581G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
TRANS NPN 18V 200MA MACRO X
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MRF581G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4134 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour MRF581G

MRF581G Description détaillée

Numéro d'article MRF581G
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 18V
Fréquence - Transition 5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Gain 13dB ~ 15.5dB
Puissance - Max 1.25W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Micro-X ceramic (84C)
Package de périphérique fournisseur Micro-X ceramic (84C)
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR MRF581G