MRF5812G

MRF5812G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
MRF5812G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
TRANS NPN 15V 200MA SO8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4119 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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MRF5812G Description détaillée

Numéro d'article MRF5812G
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 15V
Fréquence - Transition 5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain 13dB ~ 15.5dB
Puissance - Max 1.25W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200mA
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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