1517-110M

1517-110M - Microsemi Corporation

Numéro d'article
1517-110M
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
TRANS RF BIPO 350W 9A 55AW1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
74 pcs
Prix ​​de référence
USD 361.786/pcs
Notre prix
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1517-110M Description détaillée

Numéro d'article 1517-110M
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 70V
Fréquence - Transition 1.48GHz ~ 1.65GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) -
Gain 7.3dB ~ 8.6dB
Puissance - Max 350W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 9A
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas 55AW-1
Package de périphérique fournisseur 55AW-1
Poids -
Pays d'origine -

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