BSC011N03LSTATMA1

BSC011N03LSTATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSC011N03LSTATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
DIFFERENTIATED MOSFETS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSC011N03LSTATMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
140495 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.17191/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour BSC011N03LSTATMA1

BSC011N03LSTATMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSC011N03LSTATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 39A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3W (Ta), 115W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8 FL
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR BSC011N03LSTATMA1