FDP047AN08A0_F102

FDP047AN08A0_F102 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDP047AN08A0_F102
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
14000 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.5822/pcs
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FDP047AN08A0_F102 Description détaillée

Numéro d'article FDP047AN08A0_F102
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220-3
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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