FDP045N10A_F102

FDP045N10A_F102 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDP045N10A_F102
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FDP045N10A_F102 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2450 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.21/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FDP045N10A_F102

FDP045N10A_F102 Description détaillée

Numéro d'article FDP045N10A_F102
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5270pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220-3
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FDP045N10A_F102