SIRA58DP-T1-GE3 Descripción detallada
| Número de pieza |
SIRA58DP-T1-GE3 |
| Estado de la pieza |
Active |
| Tipo de FET |
N-Channel |
| Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
60A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
75nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
3750pF @ 20V |
| Vgs (Max) |
+20V, -16V |
| Característica FET |
- |
| Disipación de potencia (Máx) |
27.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
2.65 mOhm @ 15A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
PowerPAK® SO-8 |
| Paquete / caja |
PowerPAK® SO-8 |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
PRODUCTOS RELACIONADOS PARA SIRA58DP-T1-GE3
