SIHA2N80E-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIHA2N80E-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.87632/pcs
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Número de pieza	SIHA2N80E-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220 Full Pack
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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