70V3579S4DR - IDT, Integrated Device Technology Inc

Número de pieza	70V3579S4DR
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	SRAM
Tecnología	SRAM - Dual Port, Synchronous
Tamaño de la memoria	1.125Mb (32K x 36)
Frecuencia de reloj	-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	-
Tiempo de acceso	4.2ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	3.15 V ~ 3.45 V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	208-BFQFP
Paquete de dispositivo del proveedor	208-PQFP (28x28)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
70V3319S133BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 256CABGA	Detalles
70V3319S133BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 256CABGA	Detalles
70V3319S133BCGI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 256CABGA	Detalles
70V3319S133BCI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 256CABGA	Detalles
70V3319S133BCI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 256CABGA	Detalles
70V3319S133BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 208CABGA	Detalles
70V3319S133BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 208CABGA	Detalles
70V3319S133BFI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 208CABGA	Detalles
70V3319S133BFI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 208CABGA	Detalles
70V3319S133PRF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 128TQFP	Detalles