SPD11N10

SPD11N10 - Infineon Technologies

Número de pieza
SPD11N10
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3578 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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SPD11N10 Descripción detallada

Número de pieza SPD11N10
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 21µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 7.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor P-TO252-3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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