IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPB067N08N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
139762 pcs
Precio de referencia
USD 1.17807/pcs
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IPB067N08N3GATMA1 Descripción detallada

Número de pieza IPB067N08N3GATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3840pF @ 40V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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