DMN1054UCB4-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN1054UCB4-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Cantidad de stock: 7500 pcs
Precio de referencia: USD 0.2668/pcs
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Número de pieza	DMN1054UCB4-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.7A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	908pF @ 6V
Vgs (Max)	±5V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 1A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	X1-WLB0808-4
Paquete / caja	4-XFBGA, WLBGA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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