DMG4N65CTI

DMG4N65CTI - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMG4N65CTI
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
DMG4N65CTI Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
150 pcs
Precio de referencia
USD 0.97/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para DMG4N65CTI

DMG4N65CTI Descripción detallada

Número de pieza DMG4N65CTI
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 8.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor ITO-220AB
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA DMG4N65CTI