| Número de pieza | FCP1913H104G-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Capacidad | 0.1µF |
| Tolerancia | ±2% |
| Clasificación de voltaje - AC | - |
| Tensión nominal - DC | 50V |
| Material dieléctrico | Polyphenylene Sulfide (PPS) |
| ESR (resistencia de la serie equivalente) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 1913 (4833 Metric) |
| Tamaño / Dimensión | 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) |
| Altura: sentado (máximo) | - |
| Terminación | Solder Pads |
| Espacio de plomo | - |
| Aplicaciones | High Frequency, Switching |
| Calificaciones | - |
| Caracteristicas | - |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
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FCP190N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Detalles |
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FCP190N60-GF102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Detalles |
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FCP190N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Detalles |
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FCP190N60_GF102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Detalles |
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FCP190N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | Detalles |
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FCP190N65S3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 | Detalles |
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FCP190N65S3R0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I | Detalles |
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FCP1913H104G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | Detalles |
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FCP1913H104G-E2 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | Detalles |
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FCP1913H104G-E3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2 50VDC 1913 | Detalles |
