| Artikelnummer | S8CJ-M3/I |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 985mV @ 8A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 4µs |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F | 79pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
S8CG-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB | Einzelheiten |
|
S8CGHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB | Einzelheiten |
|
S8CJ-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Einzelheiten |
|
S8CJHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Einzelheiten |
|
S8CK-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB | Einzelheiten |
|
S8CKHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB | Einzelheiten |
|
S8CM-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB | Einzelheiten |
|
S8CMHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB | Einzelheiten |
