| Artikelnummer | RTF020P02TL |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TUMT3 |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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