2SC5415AF-TD-E detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
2SC5415AF-TD-E |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
12V |
Frequenz - Übergang |
6.7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) |
1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen |
9dB |
Leistung max |
800mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
90 @ 30mA, 5V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-243AA |
Lieferantengerätepaket |
PCP |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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