MRF581G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MRF581G |
Teilstatus |
Obsolete |
Transistor-Typ |
NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
18V |
Frequenz - Übergang |
5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) |
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz |
Gewinnen |
13dB ~ 15.5dB |
Leistung max |
1.25W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
50 @ 50mA, 5V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
200mA |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
Micro-X ceramic (84C) |
Lieferantengerätepaket |
Micro-X ceramic (84C) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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