Artikelnummer | JTDB25 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 55V |
Frequenz - Übergang | 960MHz ~ 1.215GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | 7.5dB |
Leistung max | 97W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 5A |
Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | 55AW-1 |
Lieferantengerätepaket | 55AW-1 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |