IXTH86N20T detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IXTH86N20T |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
86A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
- |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Vgs (Max) |
- |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
- |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
- |
Betriebstemperatur |
- |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
TO-247 (IXTH) |
Paket / Fall |
TO-247-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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