IXTH30N25

IXTH30N25 - IXYS

Artikelnummer
IXTH30N25
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 30A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2333 pcs
Referenzpreis
USD 10.8263/pcs
Unser Preis
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IXTH30N25 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTH30N25
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 136nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3950pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 200W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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