| Artikelnummer | IPW50R199CPFKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 550V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 139W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IPW50R140CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-247 | Einzelheiten |
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IPW50R140CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-247 | Einzelheiten |
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IPW50R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 17A TO-247 | Einzelheiten |
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IPW50R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247 | Einzelheiten |
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